STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin

Nr. stoc RS: 215-223Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT015W120G3-4AG
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Serie

SCT

Montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

4.2 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

167nC

Maximum Power Dissipation Pd

673W

Temperatura maxima de lucru

200°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 78,33

€ 78,33 Buc. (fara TVA)

€ 94,78

€ 94,78 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 78,33
2€ 156,66
3€ 234,99
4€ 313,32
5€ 391,65
6€ 469,98
7€ 548,31
8€ 626,64
9€ 704,97
10€ 698,30
11€ 768,13
12€ 837,96
13€ 907,79
14€ 977,62
15€ 1.047,45

€ 78,33

€ 78,33 Buc. (fara TVA)

€ 94,78

€ 94,78 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 78,33
2€ 156,66
3€ 234,99
4€ 313,32
5€ 391,65
6€ 469,98
7€ 548,31
8€ 626,64
9€ 704,97
10€ 698,30
11€ 768,13
12€ 837,96
13€ 907,79
14€ 977,62
15€ 1.047,45

CantitatePret unitar
1 - 9€ 78,33
10+€ 69,83

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Serie

SCT

Montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

4.2 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

167nC

Maximum Power Dissipation Pd

673W

Temperatura maxima de lucru

200°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe