STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin

Nr. stoc RS: 215-223Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT015W120G3-4AG
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Serie

SCT

Montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

4.2 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

167nC

Maximum Power Dissipation Pd

673W

Temperatura maxima de lucru

200°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 62,56

€ 62,56 Buc. (fara TVA)

€ 75,70

€ 75,70 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 62,56
2€ 125,12
3€ 187,68
4€ 250,24
5€ 312,80
6€ 375,36
7€ 437,92
8€ 500,48
9€ 563,04
10€ 557,70
11€ 613,47
12€ 669,24
13€ 725,01
14€ 780,78
15€ 836,55

€ 62,56

€ 62,56 Buc. (fara TVA)

€ 75,70

€ 75,70 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 62,56
2€ 125,12
3€ 187,68
4€ 250,24
5€ 312,80
6€ 375,36
7€ 437,92
8€ 500,48
9€ 563,04
10€ 557,70
11€ 613,47
12€ 669,24
13€ 725,01
14€ 780,78
15€ 836,55

CantitatePret unitar
1 - 9€ 62,56
10+€ 55,77

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Serie

SCT

Montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

4.2 V

Temperatura minima de lucru

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

167nC

Maximum Power Dissipation Pd

673W

Temperatura maxima de lucru

200°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe