STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 129 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT015W120G3-4AG

Nr. stoc RS: 215-223Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT015W120G3-4AG
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

129 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

SCT

Tip pachet

HiP247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 78,33

€ 78,33 Buc. (fara TVA)

€ 94,78

€ 94,78 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 129 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT015W120G3-4AG
Selectati tipul de ambalaj

€ 78,33

€ 78,33 Buc. (fara TVA)

€ 94,78

€ 94,78 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 129 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT015W120G3-4AG

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

CantitatePret unitar
1 - 9€ 78,33
10+€ 69,83

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

129 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

SCT

Tip pachet

HiP247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe