STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 3-Pin HIP-247-3 SCT012W90G3AG

Nr. stoc RS: 719-464Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT012W90G3AG
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Tip pachet

HIP-247-3

Serie

SCT

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

625W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

138nC

Forward Voltage Vf

2.8V

Temperatura maxima de lucru

200°C

Latime

5.15 mm

Inaltime

20.15mm

Lungime

15.75mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 20,18

€ 20,18 Buc. (fara TVA)

€ 24,42

€ 24,42 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 3-Pin HIP-247-3 SCT012W90G3AG

€ 20,18

€ 20,18 Buc. (fara TVA)

€ 24,42

€ 24,42 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 3-Pin HIP-247-3 SCT012W90G3AG

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
1 - 4€ 20,18
5+€ 19,40

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Tip pachet

HIP-247-3

Serie

SCT

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

625W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

138nC

Forward Voltage Vf

2.8V

Temperatura maxima de lucru

200°C

Latime

5.15 mm

Inaltime

20.15mm

Lungime

15.75mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe