STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG

Nr. stoc RS: 215-220PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT012H90G3AG
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Tip pachet

H2PAK-7

Serie

SCT

Montare

Surface

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

625W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

138nC

Forward Voltage Vf

2.8V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

10.4 mm

Inaltime

4.8mm

Lungime

15.25mm

Standards/Approvals

RoHS, AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 597,80

€ 59,78 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 723,34

€ 72,33 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG
Selectati tipul de ambalaj

€ 597,80

€ 59,78 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 723,34

€ 72,33 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 110 A, 900 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Tip pachet

H2PAK-7

Serie

SCT

Montare

Surface

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

625W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

138nC

Forward Voltage Vf

2.8V

Temperatura maxima de lucru

175°C

Latime

10.4 mm

Inaltime

4.8mm

Lungime

15.25mm

Standards/Approvals

RoHS, AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe