STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-89 PD85004

Nr. stoc RS: 880-5355Producator: STMicroelectronicsCod de producator: PD85004
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

SOT-89

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Maximum Power Dissipation

6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-0.5 V, +15 V

Latime

2.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

4.6mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.44mm

Typical Power Gain

17 dB

Detalii produs

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-89 PD85004
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-89 PD85004

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

SOT-89

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Maximum Power Dissipation

6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-0.5 V, +15 V

Latime

2.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

4.6mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.44mm

Typical Power Gain

17 dB

Detalii produs

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe