Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
350 mW
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.03mm
Latime
1.73mm
Serie
STripFET
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.2mm
Informatii despre stoc temporar indisponibile
P.O.A.
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
P.O.A.
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
350 mW
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.03mm
Latime
1.73mm
Serie
STripFET
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.2mm


