ROHM SiC N-Channel MOSFET, 93 A, 650 V, 3-Pin TO-247N SCT3022ALGC11
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
93 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-247N
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
29 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
262 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
22 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
133 nC @ 18 V
Transistor Material
SiC
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
21mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 67,59
€ 67,59 Buc. (fara TVA)
€ 81,78
€ 81,78 Buc. (cu TVA)
1
€ 67,59
€ 67,59 Buc. (fara TVA)
€ 81,78
€ 81,78 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 67,59 |
| 5 - 9 | € 65,18 |
| 10 - 24 | € 62,90 |
| 25+ | € 60,76 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
93 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-247N
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
29 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
262 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
22 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
133 nC @ 18 V
Transistor Material
SiC
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
21mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse