ROHM N-Channel MOSFET, 4 A, 45 V, 6-Pin TSMT RVQ040N05TR

Nr. stoc RS: 826-7816Producator: ROHMCod de producator: RVQ040N05TR
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

45 V

Tip pachet

TSMT

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-21 V, +21 V

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.8mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Inaltime

0.95mm

Tara de origine

Thailand

Detalii produs

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 15) (fara TVA)

ROHM N-Channel MOSFET, 4 A, 45 V, 6-Pin TSMT RVQ040N05TR

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 15) (fara TVA)

ROHM N-Channel MOSFET, 4 A, 45 V, 6-Pin TSMT RVQ040N05TR
Informatii indisponibile despre stoc

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

45 V

Tip pachet

TSMT

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-21 V, +21 V

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.8mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3mm

Inaltime

0.95mm

Tara de origine

Thailand

Detalii produs

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe