ROHM RU1C002ZP P-Channel MOSFET, 200 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323 RU1C002ZPTCL
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
RU1C002ZP
Tip pachet
SOT-323
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
9.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Latime
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,00
€ 0,06 Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 7,14
€ 0,071 Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
Standard
100
€ 6,00
€ 0,06 Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 7,14
€ 0,071 Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
Standard
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,06 | € 6,00 |
| 500 - 900 | € 0,06 | € 6,00 |
| 1000 - 2400 | € 0,05 | € 5,00 |
| 2500 - 4900 | € 0,05 | € 5,00 |
| 5000+ | € 0,04 | € 4,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
RU1C002ZP
Tip pachet
SOT-323
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
9.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Latime
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse