ROHM RQ6E050AT P-Channel MOSFET, 5 A, 30 V, 6-Pin TSMT-6 RQ6E050ATTCR
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
RQ6E050AT
Tip pachet
TSMT-6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
38 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Latime
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.8 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
Thailand
Detalii produs
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,25
€ 0,33 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 9,82
€ 0,393 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
25
€ 8,25
€ 0,33 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 9,82
€ 0,393 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
RQ6E050AT
Tip pachet
TSMT-6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
38 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Latime
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.8 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
Thailand
Detalii produs
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse