ROHM P-Channel MOSFET, 3.5 A, 20 V, 3-Pin TSMT-3 RQ5C035BCTCL
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
RQ5C035BC
Tip pachet
TSMT-3
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
135 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.8mm
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.5 nC @ 4.5
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.95mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 12,00
€ 0,12 Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 14,28
€ 0,143 Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
100
€ 12,00
€ 0,12 Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 14,28
€ 0,143 Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
100
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
RQ5C035BC
Tip pachet
TSMT-3
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
135 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.8mm
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.5 nC @ 4.5
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.95mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse