ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module, 300 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM300D12P2E001

Nr. stoc RS: 144-2255Producator: ROHMCod de producator: BSM300D12P2E001
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

ROHM

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

BSM

Montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1875W

Temperatura minima de lucru

-40°C

Temperatura maxima de lucru

150°C

Lungime

152mm

Inaltime

17mm

Number of Elements per Chip

2

Tara de origine

Japan

Detalii produs

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Informatii despre stoc temporar indisponibile

P.O.A.

Each (In a Tray of 4) (fara TVA)

ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module, 300 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM300D12P2E001

4

Disponibil in multiplu de 4
4P.O.A.
8P.O.A.
12P.O.A.
16P.O.A.
20P.O.A.
24P.O.A.
28P.O.A.
32P.O.A.
36P.O.A.
40P.O.A.
44P.O.A.
48P.O.A.
52P.O.A.
56P.O.A.
60P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Tray of 4) (fara TVA)

ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module, 300 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM300D12P2E001

Informatii despre stoc temporar indisponibile

4

Disponibil in multiplu de 4
4P.O.A.
8P.O.A.
12P.O.A.
16P.O.A.
20P.O.A.
24P.O.A.
28P.O.A.
32P.O.A.
36P.O.A.
40P.O.A.
44P.O.A.
48P.O.A.
52P.O.A.
56P.O.A.
60P.O.A.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

ROHM

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

BSM

Montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1875W

Temperatura minima de lucru

-40°C

Temperatura maxima de lucru

150°C

Lungime

152mm

Inaltime

17mm

Number of Elements per Chip

2

Tara de origine

Japan

Detalii produs

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe