N-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V, 3-Pin SC-59 ROHM 2SK2731T146
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SC-59
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.9mm
Latime
1.6mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
10
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SC-59
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.9mm
Latime
1.6mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse