Renesas Electronics Type N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN 2SK1835-E

Nr. stoc RS: 234-7061Producator: Renesas ElectronicsCod de producator: 2SK1835-E
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1500V

Tip pachet

TO-3PN

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.6Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

20.1 mm

Lungime

15.9mm

Inaltime

5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii despre stoc temporar indisponibile

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

Renesas Electronics Type N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN 2SK1835-E

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

Renesas Electronics Type N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN 2SK1835-E

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1500V

Tip pachet

TO-3PN

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.6Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55°C

Temperatura maxima de lucru

150°C

Latime

20.1 mm

Lungime

15.9mm

Inaltime

5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe