onsemi NVMFD5C462NL Dual N-Channel MOSFET, 84 A, 40 V, 8-Pin DFN NVMFD5C462NLWFT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
84 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
NVMFD5C462NL
Tip pachet
DFN
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
5.1mm
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
1.05mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 60,25
€ 2,41 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 71,70
€ 2,868 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 60,25
€ 2,41 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 71,70
€ 2,868 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 2,41 | € 60,25 |
| 100 - 225 | € 2,06 | € 51,50 |
| 250+ | € 1,77 | € 44,25 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
84 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
NVMFD5C462NL
Tip pachet
DFN
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
5.1mm
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
1.05mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse