onsemi P-Channel MOSFET, 950 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 NTZS3151PT1G

Nr. stoc RS: 780-4806PProducator: onsemiCod de producator: NTZS3151PT1G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

950 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-563

Montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

240 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

210 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.6 nC @ 4.5 V

Inaltime

0.6mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 24,00

€ 0,24 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 29,04

€ 0,29 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 950 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 NTZS3151PT1G
Selectati tipul de ambalaj

€ 24,00

€ 0,24 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 29,04

€ 0,29 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 950 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 NTZS3151PT1G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
100 - 225€ 0,24€ 6,00
250 - 475€ 0,21€ 5,25
500 - 975€ 0,18€ 4,50
1000+€ 0,16€ 4,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

950 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-563

Montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

240 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

210 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.6 nC @ 4.5 V

Inaltime

0.6mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe