onsemi Dual N-Channel MOSFET, 540 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 NTZD3154NT1G
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
540 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-563
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Maximum Gate Source Voltage
±7 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
1.3mm
Lungime
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.6mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 360,00
€ 0,09 Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)
€ 435,60
€ 0,109 Buc. (Pe o rola de 4000) (cu TVA)
4000
€ 360,00
€ 0,09 Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)
€ 435,60
€ 0,109 Buc. (Pe o rola de 4000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
4000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
540 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-563
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Maximum Gate Source Voltage
±7 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
1.3mm
Lungime
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.6mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse