onsemi Dual P-Channel MOSFET, 430 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 NTZD3152PT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
430 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-563
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
1.3mm
Transistor Material
Si
Lungime
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,00
€ 0,32 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 9,52
€ 0,381 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
€ 8,00
€ 0,32 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 9,52
€ 0,381 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
430 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-563
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
1.3mm
Transistor Material
Si
Lungime
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse