Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
280 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-963
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
1.05mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
0.85mm
Inaltime
0.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 1,25
€ 0,05 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 1,51
€ 0,06 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
€ 1,25
€ 0,05 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 1,51
€ 0,06 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
280 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-963
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
1.05mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
0.85mm
Inaltime
0.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs


