Dual N/P-Channel MOSFET, 250 mA, 280 mA, 20 V, 6-Pin SOT-963 ON Semiconductor NTUD3169CZT5G

Nr. stoc RS: 780-4783Producator: onsemiCod de producator: NTUD3169CZT5G
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

250 mA, 280 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-963

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

4.5 Ω, 10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

200 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

1.05mm

Latime

0.85mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

0.4mm

Detalii produs

Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Dual N/P-Channel MOSFET, 250 mA, 280 mA, 20 V, 6-Pin SOT-963 ON Semiconductor NTUD3169CZT5G
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 25.

Productie -

Disponibil in multiplu de 25.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

25

Disponibil in multiplu de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Dual N/P-Channel MOSFET, 250 mA, 280 mA, 20 V, 6-Pin SOT-963 ON Semiconductor NTUD3169CZT5G
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 25.

Productie -

Disponibil in multiplu de 25.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

25

Disponibil in multiplu de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

250 mA, 280 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-963

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

4.5 Ω, 10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

200 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

1.05mm

Latime

0.85mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

0.4mm

Detalii produs

Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe