Dual N/P-Channel MOSFET, 250 mA, 280 mA, 20 V, 6-Pin SOT-963 ON Semiconductor NTUD3169CZT5G
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
250 mA, 280 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-963
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω, 10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
1.05mm
Latime
0.85mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.4mm
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
Standard
25
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
250 mA, 280 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-963
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω, 10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
1.05mm
Latime
0.85mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.4mm
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse