onsemi P-Channel MOSFET, 1.5 A, 8 V, 3-Pin SOT-323 NTS2101PT1G

Nr. stoc RS: 780-4755Producator: onsemiCod de producator: NTS2101PT1G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.5 A

Maximum Drain Source Voltage

8 V

Tip pachet

SOT-323

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

210 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Power Dissipation

330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.4 nC @ 5 V

Inaltime

0.9mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 3,00

€ 0,12 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 3,63

€ 0,145 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 1.5 A, 8 V, 3-Pin SOT-323 NTS2101PT1G
Selectati tipul de ambalaj

€ 3,00

€ 0,12 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 3,63

€ 0,145 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 1.5 A, 8 V, 3-Pin SOT-323 NTS2101PT1G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
25 - 75€ 0,12€ 3,00
100 - 225€ 0,11€ 2,75
250 - 475€ 0,09€ 2,25
500 - 975€ 0,08€ 2,00
1000+€ 0,07€ 1,75

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.5 A

Maximum Drain Source Voltage

8 V

Tip pachet

SOT-323

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

210 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Power Dissipation

330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.4 nC @ 5 V

Inaltime

0.9mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe