onsemi N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4503NT1G

Nr. stoc RS: 780-4751Producator: onsemiCod de producator: NTR4503NT1G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

730 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Lungime

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.4mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.01mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 6,50

€ 0,26 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 7,86

€ 0,315 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4503NT1G
Selectati tipul de ambalaj

€ 6,50

€ 0,26 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 7,86

€ 0,315 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4503NT1G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
25 - 75€ 0,26€ 6,50
100 - 225€ 0,23€ 5,75
250 - 475€ 0,19€ 4,75
500 - 975€ 0,17€ 4,25
1000+€ 0,15€ 3,75

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

730 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Lungime

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.4mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.01mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe