onsemi P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4502PT1G

Nr. stoc RS: 773-7897Producator: onsemiCod de producator: NTR4502PT1G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Latime

1.3mm

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1mm

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 2,10

€ 0,21 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 2,54

€ 0,254 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4502PT1G
Selectati tipul de ambalaj

€ 2,10

€ 0,21 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 2,54

€ 0,254 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4502PT1G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 90€ 0,21€ 2,10
100 - 240€ 0,18€ 1,80
250 - 490€ 0,15€ 1,50
500 - 990€ 0,13€ 1,30
1000+€ 0,12€ 1,20

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Latime

1.3mm

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1mm

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe