onsemi N-Channel MOSFET, 2.4 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4170NT1G
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
480 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.76 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Inaltime
1.01mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 330,00
€ 0,11 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 399,30
€ 0,133 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 330,00
€ 0,11 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 399,30
€ 0,133 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
480 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.76 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Inaltime
1.01mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse