onsemi P-Channel MOSFET, 3.7 A, 8 V, 3-Pin SOT-23 NTR2101PT1G
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
960 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.4mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.01mm
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,00
€ 0,20 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 12,10
€ 0,242 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Standard
50
€ 10,00
€ 0,20 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 12,10
€ 0,242 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Banda |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,20 | € 10,00 |
| 100 - 200 | € 0,09 | € 4,50 |
| 250 - 450 | € 0,08 | € 4,00 |
| 500 - 950 | € 0,08 | € 4,00 |
| 1000+ | € 0,07 | € 3,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
960 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.4mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.01mm
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse