onsemi P-Channel MOSFET, 1 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 NTR1P02T1G

Nr. stoc RS: 688-9143PProducator: onsemiCod de producator: NTR1P02T1G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Maximum Power Dissipation

400 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.5 nC @ 5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.94mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 5,00

€ 0,25 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 6,05

€ 0,302 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 1 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 NTR1P02T1G
Selectati tipul de ambalaj

€ 5,00

€ 0,25 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 6,05

€ 0,302 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 1 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 NTR1P02T1G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
20 - 198€ 0,25€ 0,50
200 - 998€ 0,22€ 0,44
1000 - 1998€ 0,19€ 0,38
2000+€ 0,18€ 0,36

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Maximum Power Dissipation

400 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.5 nC @ 5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.94mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe