P-Channel MOSFET Transistor, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR1P02LT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
220 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
400 mW
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
5.5 nC @ 4 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Latime
1.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.94mm
Detalii produs
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
2
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
2
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
220 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
400 mW
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
5.5 nC @ 4 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Latime
1.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.94mm
Detalii produs
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse