N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi NTMS4816NG

Nr. stoc RS: 780-4727Producator: onsemiCod de producator: NTMS4816NR2G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

16 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

2.04 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.2 nC @ 4.5 V

Latime

4mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi NTMS4816NG
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi NTMS4816NG

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

16 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

2.04 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.2 nC @ 4.5 V

Latime

4mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe