N-Channel MOSFET, 59 A, 30 V, 8-Pin SO-8FL ON Semiconductor NTMFS4841NHT1G

Nr. stoc RS: 780-4708PProducator: onsemiCod de producator: NTMFS4841NHT1G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

59 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SO-8FL

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

11.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

41.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11.3 nC @ 4.5 V, 24.4 nC @ 11.5 V

Latime

6.1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5.1mm

Inaltime

1.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 59 A, 30 V, 8-Pin SO-8FL ON Semiconductor NTMFS4841NHT1G
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 59 A, 30 V, 8-Pin SO-8FL ON Semiconductor NTMFS4841NHT1G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

59 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SO-8FL

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

11.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

41.7 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11.3 nC @ 4.5 V, 24.4 nC @ 11.5 V

Latime

6.1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5.1mm

Inaltime

1.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe