onsemi Dual N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G

Nr. stoc RS: 780-0674Producator: onsemiCod de producator: NTMD4N03R2G
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

80 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8 nC @ 10 V dc

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.5mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 6,40

€ 0,64 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 7,74

€ 0,774 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 6,40
20€ 12,80
30€ 19,20
40€ 25,60
50€ 32,00
60€ 38,40
70€ 44,80
80€ 51,20
90€ 57,60
100€ 55,00
110€ 60,50
120€ 66,00
130€ 71,50
140€ 77,00
150€ 82,50

€ 6,40

€ 0,64 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 7,74

€ 0,774 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 6,40
20€ 12,80
30€ 19,20
40€ 25,60
50€ 32,00
60€ 38,40
70€ 44,80
80€ 51,20
90€ 57,60
100€ 55,00
110€ 60,50
120€ 66,00
130€ 71,50
140€ 77,00
150€ 82,50

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 90€ 0,64€ 6,40
100 - 240€ 0,55€ 5,50
250 - 490€ 0,47€ 4,70
500 - 990€ 0,41€ 4,10
1000+€ 0,37€ 3,70

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

80 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8 nC @ 10 V dc

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.5mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe