onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 4.1 A, 4.6 A, 20 V, 6-Pin WDFN NTLJD3119CTBG
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A, 4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
WDFN
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ, 200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Lungime
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.7 nC @ 4.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Latime
2mm
Transistor Material
Si
Inaltime
0.75mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,60
€ 0,76 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 9,20
€ 0,92 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 7,60
€ 0,76 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 9,20
€ 0,92 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,76 | € 7,60 |
| 100 - 240 | € 0,65 | € 6,50 |
| 250 - 490 | € 0,56 | € 5,60 |
| 500 - 990 | € 0,48 | € 4,80 |
| 1000+ | € 0,44 | € 4,40 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A, 4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
WDFN
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ, 200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Lungime
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.7 nC @ 4.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Latime
2mm
Transistor Material
Si
Inaltime
0.75mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse