Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
990 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-723
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
550 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Latime
0.85mm
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Lungime
1.25mm
Inaltime
0.55mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 11,00
€ 0,11 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 13,31
€ 0,133 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 11,00
€ 0,11 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 13,31
€ 0,133 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 200 | € 0,11 | € 5,50 |
| 250 - 450 | € 0,11 | € 5,50 |
| 500 - 950 | € 0,10 | € 5,00 |
| 1000+ | € 0,10 | € 5,00 |
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
990 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-723
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
550 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Latime
0.85mm
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Lungime
1.25mm
Inaltime
0.55mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs


