onsemi Dual N-Channel MOSFET, 250 mA, 30 V, 6-Pin SOT-363 NTJD4001NT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-363
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.72 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
1.35mm
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 240,00
€ 0,08 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 285,60
€ 0,095 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 240,00
€ 0,08 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 285,60
€ 0,095 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-363
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.72 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
1.35mm
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse