onsemi P-Channel MOSFET, 6.7 A, 20 V, 8-Pin ChipFET NTHS4101PT1G

Nr. stoc RS: 780-0595Producator: onsemiCod de producator: NTHS4101PT1G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

6.7 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

ChipFET

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

52 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 4.5 V dc

Inaltime

1.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 4,60

€ 0,46 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 5,57

€ 0,557 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 6.7 A, 20 V, 8-Pin ChipFET NTHS4101PT1G
Selectati tipul de ambalaj

€ 4,60

€ 0,46 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 5,57

€ 0,557 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 6.7 A, 20 V, 8-Pin ChipFET NTHS4101PT1G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 40€ 0,46€ 4,60
50 - 190€ 0,44€ 4,40
200 - 490€ 0,30€ 3,00
500+€ 0,28€ 2,80

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

6.7 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

ChipFET

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

52 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 4.5 V dc

Inaltime

1.1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe