onsemi P-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 NTF5P03T3G
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-223
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
3.13 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
3.7mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1.65mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 19,50
€ 0,78 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 23,60
€ 0,944 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 19,50
€ 0,78 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 23,60
€ 0,944 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-223
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
3.13 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
3.7mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1.65mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse