onsemi P-Channel MOSFET, 2.6 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF2955T1G

Nr. stoc RS: 688-9130PProducator: onsemiCod de producator: NTF2955T1G
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2.6 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-223

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

185 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

2.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.5mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

14.3 nC @ 10 V

Latime

3.5mm

Inaltime

1.57mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 22,80

€ 1,14 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 27,13

€ 1,357 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 2.6 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF2955T1G
Selectati tipul de ambalaj

€ 22,80

€ 1,14 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 27,13

€ 1,357 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 2.6 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF2955T1G
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Rola
20 - 198€ 1,14€ 2,28
200+€ 0,98€ 1,96

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2.6 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-223

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

185 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

2.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.5mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

14.3 nC @ 10 V

Latime

3.5mm

Inaltime

1.57mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe