N-Channel MOSFET, 95 A, 30 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD4805NG

Nr. stoc RS: 805-1980PProducator: onsemiCod de producator: NTD4805NT4G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

95 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

7.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

79 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.73mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

20.5 nC @ 4.5 V

Latime

6.22mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

2.38mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 95 A, 30 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD4805NG
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 95 A, 30 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD4805NG

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

95 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

7.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

79 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.73mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

20.5 nC @ 4.5 V

Latime

6.22mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

2.38mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe