onsemi N-Channel MOSFET, 9 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD3055L170T4G

Nr. stoc RS: 802-1493Producator: onsemiCod de producator: NTD3055L170T4G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

28.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4.7 nC @ 5 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

2.38mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 9 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD3055L170T4G
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 9 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD3055L170T4G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

28.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4.7 nC @ 5 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

2.38mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe