onsemi N-Channel MOSFET, 9 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD3055-150T4G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
28.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.1 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.73mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.22mm
Inaltime
2.38mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 16,75
€ 0,67 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 19,93
€ 0,797 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
€ 16,75
€ 0,67 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 19,93
€ 0,797 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
28.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.1 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.73mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.22mm
Inaltime
2.38mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse