onsemi P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD2955T4G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
55 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Latime
6.22mm
Inaltime
2.38mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 84,00
€ 0,84 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 99,96
€ 1,00 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 84,00
€ 0,84 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 99,96
€ 1,00 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,84 | € 8,40 |
| 250 - 490 | € 0,72 | € 7,20 |
| 500 - 990 | € 0,63 | € 6,30 |
| 1000+ | € 0,56 | € 5,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
55 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Latime
6.22mm
Inaltime
2.38mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse