onsemi P-Channel MOSFET, 25 A, 30 V, 3-Pin DPAK NTD25P03LT4G

Nr. stoc RS: 773-7888Producator: onsemiCod de producator: NTD25P03LT4G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-15 V, +15 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

2.38mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 4,15

€ 0,83 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 5,02

€ 1,004 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 25 A, 30 V, 3-Pin DPAK NTD25P03LT4G
Selectati tipul de ambalaj

€ 4,15

€ 0,83 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 5,02

€ 1,004 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 25 A, 30 V, 3-Pin DPAK NTD25P03LT4G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 45€ 0,83€ 4,15
50 - 95€ 0,71€ 3,55
100 - 495€ 0,61€ 3,05
500 - 995€ 0,53€ 2,65
1000+€ 0,48€ 2,40

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-15 V, +15 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

2.38mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe