onsemi P-Channel MOSFET, 15.5 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD20P06LT4G

Nr. stoc RS: 688-9124Producator: onsemiCod de producator: NTD20P06LT4G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

15.5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

65 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 5 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

2.38mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 2,02

€ 1,01 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 2,44

€ 1,222 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 15.5 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD20P06LT4G
Selectati tipul de ambalaj

€ 2,02

€ 1,01 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 2,44

€ 1,222 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

onsemi P-Channel MOSFET, 15.5 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD20P06LT4G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
2 - 18€ 1,01€ 2,02
20 - 198€ 0,86€ 1,72
200 - 998€ 0,74€ 1,48
1000+€ 0,64€ 1,28

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

15.5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

65 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 5 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

2.38mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe