onsemi N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 3-Pin DPAK NTD20N03L27T4G

Nr. stoc RS: 793-1043PProducator: onsemiCod de producator: NTD20N03L27T4G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

31 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

74 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-24 V, +24 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18.9 nC @ 10 V dc

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

2.38mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 80,00

€ 0,80 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 96,80

€ 0,968 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 3-Pin DPAK NTD20N03L27T4G
Selectati tipul de ambalaj

€ 80,00

€ 0,80 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 96,80

€ 0,968 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 3-Pin DPAK NTD20N03L27T4G

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
100 - 240€ 0,80€ 8,00
250 - 990€ 0,69€ 6,90
1000+€ 0,60€ 6,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

31 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

74 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-24 V, +24 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18.9 nC @ 10 V dc

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

2.38mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe