Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiProduct Type
MOSFET & Diode
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
TO-263
Serie
NTB
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
68W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
23nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Latime
9.6 mm
Inaltime
4.6mm
Lungime
14.6mm
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 10,90
€ 1,09 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 13,19
€ 1,319 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
€ 10,90
€ 1,09 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 13,19
€ 1,319 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
10
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiProduct Type
MOSFET & Diode
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
TO-263
Serie
NTB
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
68W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
23nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Latime
9.6 mm
Inaltime
4.6mm
Lungime
14.6mm
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
No


