N-Channel MOSFET, 116 A, 40 V, 3-Pin D2PAK onsemi NTB5405NG

Nr. stoc RS: 802-0986Producator: onsemiCod de producator: NTB5405NT4G
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

116 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.29mm

Typical Gate Charge @ Vgs

88 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

9.65mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

4.83mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 116 A, 40 V, 3-Pin D2PAK onsemi NTB5405NG
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 116 A, 40 V, 3-Pin D2PAK onsemi NTB5405NG

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

116 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.29mm

Typical Gate Charge @ Vgs

88 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

9.65mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

4.83mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe