onsemi P-Channel MOSFET, 900 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 NDS352AP
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
NDS352AP
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
0.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Lungime
2.92mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
0.94mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 420,00
€ 0,14 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 499,80
€ 0,167 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 420,00
€ 0,14 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 499,80
€ 0,167 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
NDS352AP
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
0.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Lungime
2.92mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
0.94mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse