N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi MTD3055VL

Nr. stoc RS: 761-4549PProducator: onsemiCod de producator: MTD3055VL
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

48 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 5 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

2.39mm

Detalii produs

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi MTD3055VL
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi MTD3055VL
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

48 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 5 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

2.39mm

Detalii produs

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe