onsemi FGAF40N60SMD IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
115 W
Tip pachet
TO-3PF
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
15.7 x 3.2 x 26.7mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 4,63
Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 5,51
Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
€ 4,63
Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 5,51
Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,63 | € 138,90 |
| 60+ | € 4,23 | € 126,90 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
115 W
Tip pachet
TO-3PF
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
15.7 x 3.2 x 26.7mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse