onsemi FGA20N120FTDTU IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

Nr. stoc RS: 671-5391Producator: onsemiCod de producator: FGA20N120FTDTU
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±25V

Tip pachet

TO-3PN

Timp montare

Through Hole

Channel Type

N

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

15.8 x 5 x 18.9mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Detalii produs

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

onsemi FGA20N120FTDTU IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

onsemi FGA20N120FTDTU IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±25V

Tip pachet

TO-3PN

Timp montare

Through Hole

Channel Type

N

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

15.8 x 5 x 18.9mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Detalii produs

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe