Modificări în Graficul Livrărilor!

Comenzile plasate în perioada 18.12.2024 - 07.01.2025 vor fi livrate începând cu 08.01.2025. COMPEC va fi închis în perioada 23.12.2024 - 07.01.2025. Începând cu data de 08.01.2025 expedierile vor fi realizate conform graficului obișnuit.

P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS6576

Nr. stoc RS: 917-5487PProducator: onsemiCod de producator: FDS6576
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Serie

PowerTrench

Tip pachet

SOIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

43 nC @ 4.5 V

Latime

4mm

Transistor Material

Si

Inaltime

1.5mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 0,45

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 0,536

Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS6576
Selectati tipul de ambalaj

€ 0,45

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 0,536

Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS6576
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Serie

PowerTrench

Tip pachet

SOIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

43 nC @ 4.5 V

Latime

4mm

Transistor Material

Si

Inaltime

1.5mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe